9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 필기 기출문제(해설) 및 CBT 2017년06월24일

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1. 다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?          1. 달링턴 쌍(Darington Pair) 회로이다.      2. 입력저항을 크게 하기 위한 목적으로 사용되며 입력저항은 β1β2RE이다.      3. 전체 전류이득은 β1β2이다.      4. 트랜지스터 Q2의 이미터 전류 Ie2=β1β2Ie1이다.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 50%

2. 다음 연산증폭기에서 Z1(s)는 저항 R1과 커패시터 C1의 병렬회로, Z2(s)는 저항 R2와 커패시터 C2의 병렬회로이다. R1=1[kΩ], R2=2[kΩ], C1=0.5[mF], C2=0.1[mF] 일 때 Vo(s)/Vi(s)는?          1.      2.      3.      4.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 45%

3. 다음 회로에서 부하 ZL에 최대 평균전력이 전달되기 위한 ZL값과 이때의 소비전력은?          1. 2[Ω], 32[W]      2. j2[Ω], 32[W]      3. 2-j2[Ω], 16[W]      4. 2+j2[Ω], 16[W]      정답 : [ 3 ]      정답률 : 69%

4. 다음 회로에서 Rab는 얼마인가?          1. 1[Ω]      2. 2[Ω]      3. 3[Ω]      4. 4[Ω]      정답 : [ 2 ]      정답률 : 79%

5. 다음의 값들 중에서 다른 하나는 무엇인가?      1. 20510      2. 110010112      3. 3138      4. CB16      정답 : [ 1 ]      정답률 : 81%

6. 회로 내 어떤 저항 R의 양단 전압이 v(t)=VMcos(wt)[V] 일 때, 이 저항 R에서의 전류 i(t)[A]와 순시전력 P[W]에 대하여 옳지 않은 것은?      1. 전류 i(t)의 각주파수는 w[rad/s]이다.      2. 전류 i(t)의 최댓값은 VM/R[A]이다.      3. 순시전력 P의 각주파수는 2w[rad/s]이다.      4. 순시전력 P의 최댓값은 [W]이다.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 81%

7. 다음 회로에서 V1(r1의 양단 전압)이 V2(r2의 양단 전압)의 2배일 때, 저항 r1과 저항 r2의 값은?          1. r1=1/3[Ω], r2=2/3[Ω]      2. r1=2/3[Ω], r2=1/3[Ω]      3. r1=10/6[Ω], r2=5/6[Ω]      4. r1=5/6[Ω], r2=10/6[Ω]      정답 : [ 3 ]      정답률 : 69%

8. 다음 회로에서 3[Ω] 저항이 소비하는 전력은?          1. 25[W]      2. 50[W]      3. 75[W]      4. 100[W]      정답 : [ 3 ]      정답률 : 72%

9. 다음 회로의 등가 어드미턴스 Y는 각주파수 w가 1,000[rad/s] 일 때 1+j2이다. C값은 얼마인가?          1. 0.2[mF]      2. 1.5[mF]      3. 2[mF]      4. 2.5[mF]      정답 : [ 4 ]      정답률 : 57%

10. MOSFET가 JFET에 비해 가지고 있는 특징으로 옳지 않은 것은?      1. 입력 저항이 크다.      2. 캐리어의 이동도가 높다.      3. 소스 - 드레인 사이가 전기적으로 기판에서 독립되어 있다.      4. 한 장의 기판 위에서 얻을 수 있는 소자 수가 많아 집적회로에 유리하다.      정답 : [ 2 ]      정답률 : 48%

11. 다음은 BJT 증폭기에 대한 등가회로의 한 예이다. 소자 값들이 RS=500[Ω], Ri=1[kΩ], Ro=40[kΩ], RL=10[kΩ], Ai=100으로 주어질 때 전류의 비 io/ii는?           1. 20      2. 50      3. 80      4. 100      정답 : [ 3 ]      정답률 : 38%

12. 다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?           1. B급 푸시풀 전력 증폭기이다.      2. vout에서는 vin입력과 위상이 반전된 출력이 나온다.      3. 입력신호의 양의 반주기 동안 Q1트랜지스터가 도통된다.      4. 교차왜곡이 없는 경우, Q1이 도통되면 Q2는 차단된다.      정답 : [ 2 ]      정답률 : 56%

13. 다음 회로에서 t≥0에서 시간에 관한 vL(t)의 식은? (단, 스위치는 충분히 오랫동안 닫혀 있었고 t=0에서 열린다.)           1. vL(t)=80ｅ-4×10-6t [V]      2. vL(t)=80ｅ-4×106t [V]      3. vL(t)=50ｅ-2.5×10-5t [V]      4. vL(t)=50ｅ-2.5×105t [V]      정답 : [ 4 ]      정답률 : 37%

14. R=6[Ω], XL=8[Ω]인 직렬 RL회로에서 100[V], 60[Hz]의 교류전압을 인가할 때 회로에 공급되는 유효전력은?      1. 300[W]      2. 400[W]      3. 600[W]      4. 800[W]      정답 : [ 3 ]      정답률 : 54%

15. 다음은 n형 반도체와 p형 반도체에 대한 설명이다. 옳은 것을 모두 고르면?           1. ⓐ, ⓕ      2. ⓑ, ⓔ      3. ⓒ, ⓗ      4. ⓓ, ⓖ      정답 : [ 1 ]      정답률 : 83%

16. 다음 회로가 직류정상상태에 있다고 할 때 커패시터의 전압 v는?           1. 12[V]      2. 16[V]      3. 24[V]      4. 32[V]      정답 : [ 4 ]      정답률 : 32%

17. 코일을 감은 횟수가 100회이고, 0.2초 동안에 자속이 8[Wb]에서 4[Wb]로 감소했다면, 이 코일에 유도되는 유도기전력은?      1. 2×102[V]      2. 2×103[V]      3. 4×102[V]      4. 4×103[V]      정답 : [ 2 ]      정답률 : 75%

18. 다음 회로의 동작을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?           1. A점에서 VGS=0[V]일 때 VDS=0이면 ID=0이 된다.      2. B-C영역에서 VDS와 ID가 옴(Ohm)의 법칙을 따르므로 저항성 영역이라 한다.      3. VGS=0[V]일 때, ID가 일정하게 되는 B점을 핀치오프 전압(pinch-off voltage)이라 한다.      4. C점 이후의 영역은 드레인과 게이트 사이의 역바이어스가 커져 항복현상(break down)이 일어난다.      정답 : [ 2 ]      정답률 : 67%

19. 다음 논리 회로를 만족하는 출력 F의 논리식은?           1.      2.      3.      4.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 67%

20. Ain단자에 아래의 입력 Vin이 주어졌을 때 Aout에서의 출력파형은?           1.      2.      3.      4.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 62%

정 답 지

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1. 다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?          1. 달링턴 쌍(Darington Pair) 회로이다.      2. 입력저항을 크게 하기 위한 목적으로 사용되며 입력저항은 β1β2RE이다.      3. 전체 전류이득은 β1β2이다.      4. 트랜지스터 Q2의 이미터 전류 Ie2=β1β2Ie1이다.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 50%

2. 다음 연산증폭기에서 Z1(s)는 저항 R1과 커패시터 C1의 병렬회로, Z2(s)는 저항 R2와 커패시터 C2의 병렬회로이다. R1=1[kΩ], R2=2[kΩ], C1=0.5[mF], C2=0.1[mF] 일 때 Vo(s)/Vi(s)는?          1.      2.      3.      4.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 45%

3. 다음 회로에서 부하 ZL에 최대 평균전력이 전달되기 위한 ZL값과 이때의 소비전력은?          1. 2[Ω], 32[W]      2. j2[Ω], 32[W]      3. 2-j2[Ω], 16[W]      4. 2+j2[Ω], 16[W]      정답 : [ 3 ]      정답률 : 69%

4. 다음 회로에서 Rab는 얼마인가?          1. 1[Ω]      2. 2[Ω]      3. 3[Ω]      4. 4[Ω]      정답 : [ 2 ]      정답률 : 79%

5. 다음의 값들 중에서 다른 하나는 무엇인가?      1. 20510      2. 110010112      3. 3138      4. CB16      정답 : [ 1 ]      정답률 : 81%

6. 회로 내 어떤 저항 R의 양단 전압이 v(t)=VMcos(wt)[V] 일 때, 이 저항 R에서의 전류 i(t)[A]와 순시전력 P[W]에 대하여 옳지 않은 것은?      1. 전류 i(t)의 각주파수는 w[rad/s]이다.      2. 전류 i(t)의 최댓값은 VM/R[A]이다.      3. 순시전력 P의 각주파수는 2w[rad/s]이다.      4. 순시전력 P의 최댓값은 [W]이다.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 81%

7. 다음 회로에서 V1(r1의 양단 전압)이 V2(r2의 양단 전압)의 2배일 때, 저항 r1과 저항 r2의 값은?          1. r1=1/3[Ω], r2=2/3[Ω]      2. r1=2/3[Ω], r2=1/3[Ω]      3. r1=10/6[Ω], r2=5/6[Ω]      4. r1=5/6[Ω], r2=10/6[Ω]      정답 : [ 3 ]      정답률 : 69%

8. 다음 회로에서 3[Ω] 저항이 소비하는 전력은?          1. 25[W]      2. 50[W]      3. 75[W]      4. 100[W]      정답 : [ 3 ]      정답률 : 72%

9. 다음 회로의 등가 어드미턴스 Y는 각주파수 w가 1,000[rad/s] 일 때 1+j2이다. C값은 얼마인가?          1. 0.2[mF]      2. 1.5[mF]      3. 2[mF]      4. 2.5[mF]      정답 : [ 4 ]      정답률 : 57%

10. MOSFET가 JFET에 비해 가지고 있는 특징으로 옳지 않은 것은?      1. 입력 저항이 크다.      2. 캐리어의 이동도가 높다.      3. 소스 - 드레인 사이가 전기적으로 기판에서 독립되어 있다.      4. 한 장의 기판 위에서 얻을 수 있는 소자 수가 많아 집적회로에 유리하다.      정답 : [ 2 ]      정답률 : 48%

11. 다음은 BJT 증폭기에 대한 등가회로의 한 예이다. 소자 값들이 RS=500[Ω], Ri=1[kΩ], Ro=40[kΩ], RL=10[kΩ], Ai=100으로 주어질 때 전류의 비 io/ii는?           1. 20      2. 50      3. 80      4. 100      정답 : [ 3 ]      정답률 : 38%

12. 다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?           1. B급 푸시풀 전력 증폭기이다.      2. vout에서는 vin입력과 위상이 반전된 출력이 나온다.      3. 입력신호의 양의 반주기 동안 Q1트랜지스터가 도통된다.      4. 교차왜곡이 없는 경우, Q1이 도통되면 Q2는 차단된다.      정답 : [ 2 ]      정답률 : 56%

13. 다음 회로에서 t≥0에서 시간에 관한 vL(t)의 식은? (단, 스위치는 충분히 오랫동안 닫혀 있었고 t=0에서 열린다.)           1. vL(t)=80ｅ-4×10-6t [V]      2. vL(t)=80ｅ-4×106t [V]      3. vL(t)=50ｅ-2.5×10-5t [V]      4. vL(t)=50ｅ-2.5×105t [V]      정답 : [ 4 ]      정답률 : 37%

14. R=6[Ω], XL=8[Ω]인 직렬 RL회로에서 100[V], 60[Hz]의 교류전압을 인가할 때 회로에 공급되는 유효전력은?      1. 300[W]      2. 400[W]      3. 600[W]      4. 800[W]      정답 : [ 3 ]      정답률 : 54%

15. 다음은 n형 반도체와 p형 반도체에 대한 설명이다. 옳은 것을 모두 고르면?           1. ⓐ, ⓕ      2. ⓑ, ⓔ      3. ⓒ, ⓗ      4. ⓓ, ⓖ      정답 : [ 1 ]      정답률 : 83%

16. 다음 회로가 직류정상상태에 있다고 할 때 커패시터의 전압 v는?           1. 12[V]      2. 16[V]      3. 24[V]      4. 32[V]      정답 : [ 4 ]      정답률 : 32%

17. 코일을 감은 횟수가 100회이고, 0.2초 동안에 자속이 8[Wb]에서 4[Wb]로 감소했다면, 이 코일에 유도되는 유도기전력은?      1. 2×102[V]      2. 2×103[V]      3. 4×102[V]      4. 4×103[V]      정답 : [ 2 ]      정답률 : 75%

18. 다음 회로의 동작을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?           1. A점에서 VGS=0[V]일 때 VDS=0이면 ID=0이 된다.      2. B-C영역에서 VDS와 ID가 옴(Ohm)의 법칙을 따르므로 저항성 영역이라 한다.      3. VGS=0[V]일 때, ID가 일정하게 되는 B점을 핀치오프 전압(pinch-off voltage)이라 한다.      4. C점 이후의 영역은 드레인과 게이트 사이의 역바이어스가 커져 항복현상(break down)이 일어난다.      정답 : [ 2 ]      정답률 : 67%

19. 다음 논리 회로를 만족하는 출력 F의 논리식은?           1.      2.      3.      4.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 67%

20. Ain단자에 아래의 입력 Vin이 주어졌을 때 Aout에서의 출력파형은?           1.      2.      3.      4.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 62%

정 답 지

1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
④	①	③	②	①	④	③	③	④	②
11	12	13	14	15	16	17	18	19	20
③	②	④	③	①	④	②	②	①	①

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