전자기사 필기 기출문제(해설) 및 CBT 모의고사(2025년 12월 05일)(1664453)

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1과목 : 전기자기학

1. 상자성체에서 자화율(magnetic susceptibility)는?(2016년 10월)      1. X=0      2. X=1      3. X      4. X＞0      정답 : [ 4 ]      정답률 : 64%

2. 간격에 비해서 충분히 넓은 평행판 콘덴서의 판사이에 비유전율 Єs인 유전체를 채우고 외부에서 판에 수직방향으로 전계 E0를 가할 때 분극전하에 의한 전계의 세기는 몇 [V/m]인가?(2014년 03월)      1.      2.      3.      4.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 53%

3. 반지름 1[cm]인 원형코일에 전류 10[A]가 흐를 때, 코일의 중심에서 코일면에 수직으로 cm 떨어진 점의 자계의 세기는 몇 [A/m] 인가?(2008년 05월)      1. 1/16×103 [A/m]      2. 3/16×103 [A/m]      3. 5/16×103 [A/m]      4. 7/16×103 [A/m]      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

4. 다음 설명 중 잘못된 것은?(2006년 05월)      1. 초전도체는 임계온도 이하에서 완전 반자성을 나타낸다.      2. 자화의 세기는 단위 면적당의 자기 모멘트이다.      3. 상자성체에 자극 N극을 접근시키면 S극이 유도된다.      4. 니켈(Ni), 코발트(Co) 등은 강자성체에 속한다.      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

5. 0.2 Wb/m2의 평등자재 속에 자계와 직각방향으로 놓인 길이 30cm인 도선을 자계와 30도의 방향으로 30m/s의 속도로 이동시킬 때, 도체 양단에 유기되는 기전력은 몇 V 인가?(2019년 09월)      1. 0.3      2. 0.6      3. 0.9      4. 1.2      정답 : [ 3 ]      정답률 : 60%

6. 정전계내에 있는 도체 표면에서의 전계의 방향은 어떻게 되는가?(2004년 03월)      1. 임의 방향      2. 표면과 접선방향      3. 표면과 45도 방향      4. 표면과 수직방향      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

7. 구리로 만든 지름 20cm의 반구에 물을 채우고 그 중에 지름 10cm의 구를 띄운다. 이 때에 두 개의 구가 동심구라면 두 구 사이의 저항은 약 몇 Ω인가? (단, 물의 도전율은 10-3[℧/m]라 하고, 물이 충만 되어 있다고 한다.)(2017년 03월)      1. 1590      2. 2590      3. 2800      4. 3180      정답 : [ 1 ]      정답률 : 57%

8. 그림과 같이 무한히 넓은 무한평면도체로부터 d[m] 떨어진 점에 Q[C]의 점전하가 있을 때 [m]인 P점의 전위는 몇 [V]인가?(2007년 09월)          1. Q/πε0d      2. Q/3πε0d      3. 8Q/9πε0d      4. 10Q/9πε0d      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

9. 무한장 선로에 균일하게 전하가 분포된 경우 선로로부터 r(m) 떨어진 P점에서의 전계의 세기 E(V/m)는 얼마인가?(단, 선전하 밀도는 ρL(C/m)이다.)(2015년 03월)          1.      2.      3.      4.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 61%

10. 그림과 같이 반지름 a[m]의 한번 감긴 원형코일이 균일한 자속밀도 B[Wb/m2]인 자계에 놓여 있다. 지금 코일 면을 자계와 나란하게 전류 I[A]를 흘리면 원형코일이 자계로부터 받는 회전 모멘트는 몇 [Nㆍm/rad]인가?(2011년 06월)           1. 2πaBI      2. πaBI      3. 2πa2BI      4. πa2BI      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

11. 자속밀도 B(Wb/m2)의 평등 자계 내에서 길이 l(m)인 도체 ab가 속도 v(m/s)로 그림과 같이 도선을 따라서 자계와 수직으로 이동할 때, 도체 ab에 의해 유기된 기전력의 크기 e(V)와 폐회로 abcd 내 저항 R에 흐르는 전류의 방향은? (단, 폐회로 abcd 내 도선 및 도체의 저항은 무시한다.)(2020년 06월)           1. e=Blv, 전류방향 : c→d      2. e=Blv, 전류방향 : d→c      3. e=Blv2, 전류방향 : c→d      4. e=Blv2, 전류방향 : d→c      정답 : [ 1 ]      정답률 : 46%

12. 다음 중 전속밀도에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?(2009년 08월)      1. 전속은 스칼라양이기 때문에 전속밀도도 스칼라양이다.      2. 전속밀도는 전계의 세기 방향과 반대 방향이다.      3. 전속밀도는 유전체 내에 분극의 세기와 같다.      4. 전속밀도는 유전체가 있던, 없던 관계없이 크기는 일정하다.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

13. 환상철심에 권수 3000회 A코일과 권수 200회 B코일이 감겨져 있다. A코일의 자기인덕턴스가 360mH일 때 A, B 두 코일의 상호 인덕턴스는 몇 mH 인가? (단, 결합계수는 1이다.)(2019년 03월)      1. 16      2. 24      3. 36      4. 72      정답 : [ 2 ]      정답률 : 37%       <문제 해설> M=La*Nb/Na=360*200/3000=24[mH] [해설작성자 : vjkyao]

14. 그림과 같이 직각 코일이 인 자계에 위치하고 있다. 코일에 5A 전류가 흐를 때 z축에서의 토크는 약 몇 N･m 인가?(2017년 05월)           1. 2.66 × 10-4ax      2. 5.66 × 10-4ax      3. 2.66 × 10-4az      4. 5.66 × 10-4az      정답 : [ 4 ]      정답률 : 59%

15. 두 유전체의 경계면에 대한 설명 중 옳은 것은?(2014년 05월)      1. 두 유전체의 경계면에 전계가 수직으로 입사하면 두 유전체내의 전계의 세기는 같다.      2. 유전율이 작은 쪽에서 큰 쪽으로 전계가 입사할 때 입사각은 굴절각보다. 크다.      3. 경계면에서 정전력은 전계가 경계면에 수직으로 입사할 때 유전율이 큰 쪽에서 작은 쪽으로 작용한다.      4. 유전율이 큰 쪽에서 작은 쪽으로 전계가 경계면에 수직으로 입사할 때 유전율이 작은 쪽의 전계의 세기가 작아진다.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 50%

16. 서로 다른 두 유전체 사이의 경계면에 전하분포가 없다면 경계면 양쪽에서의 전계 및 자속밀도는?(2011년 10월)      1. 전계의 접선성분 및 전속밀도의 법선성분은 서로 같다.      2. 전계의 법선성분 및 전속밀도의 접선성분은 서로 같다.      3. 전계 및 전속밀도의 법선성분은 서로 같다.      4. 전계 및 전속밀도의 접선성분은 서로 같다.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

17. 한 변의 길이가 √2m인 정사각형의 4개 꼭짓점에 +10-9 C의 점전하가 각각 있을 때 이 사각형의 중심에서의 전위[V]는?(2017년 03월)      1. 0      2. 18      3. 36      4. 72      정답 : [ 3 ]      정답률 : 57%

18. 전속밀도에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?(2015년 03월)      1. 전속은 스칼라량이기 때문에 전속밀도도 스칼라량이다.      2. 전속밀도는 전계의 세기의 방향과 반대 방향이다.      3. 전속밀도는 유전체 내에 분극의 세기와 같다.      4. 전속밀도는 유전체와 관계없이 크기는 일정하다.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 55%

19. 다음 중 압전효과를 이용하지 않는 것은?(2006년 05월)      1. 수정발진기      2. Crystal pick-up      3. 초음파발생기      4. 자속계      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

20. 서로 결합하고 있는 두 코일의 C1과 C2의 자기인덕턴스가 각각 Lc1, Lc2라고 한다. 이 둘을 직렬로 연결하여 합성인덕턴스 값을 얻은 후 두 코일간 상호인덕턴스의 크기(|M|)를 얻고자 한다. 직렬로 연결할 때, 두 코일간 자속이 서로 가해져서 보강되는 방향의 합성인덕턴스의 값이 L1, 서로 상쇄되는 방향의 합성인덕턴스 값이 L2일 때, 다음 중 알맞은 식은?(2017년 05월)      1.      2.      3.      4.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 64%

2과목 : 회로이론

21. 역률 80[%], 부하의 유효전력이 80[kW]이면 무효전력은?(2010년 03월)      1. 20[kVar]      2. 40[kVar]      3. 60[kVar]      4. 80[kVar]      정답 : [ 3 ]      정답률 : 37%

22. 그림과 같은 회로에서 스위치 K가 닫혀진 상태에 있다가 t = 0 일 때 K가 열렸다. 이 때 R2를 흐르는 전류 i는?(2004년 03월)           1.      2.      3.      4.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

23. 역률 80[%], 부하의 유효전력이 80[kW]이면 무효전력은?(2004년 09월)      1. 20 [K Var]      2. 40 [K Var]      3. 60 [K Var]      4. 80 [K Var]      정답 : [ 3 ]      정답률 : 알수없음

24. 500(mH)인 코일에 흐르는 전류를 30[A/s]의 비율로 증가시킬 때, 코일 양단에 나타나는 전압의 크기는? (단, 전압의 크기는 절대값이다.)(2015년 05월)      1. 0.15V      2. 1.5V      3. 15V      4. 150V      정답 : [ 3 ]      정답률 : 58%

25. 다음은 정현파를 대표하는 phasor이다. 정형파를 순시치로 나타내면?(2008년 09월)           1.      2.      3.      4.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 알수없음

26. 한 코일의 전류가 매초 60[A]의 비율로 변화할 때 다른 코일에는 30[V]의 기전력이 발생하는 경우에 두 코일의 상호 인덕턴스[H]는?(2015년 03월)      1. 2      2. 1.5      3. 1      4. 0.5      정답 : [ 4 ]      정답률 : 52%

27. 두 회로 간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?(2019년 03월)      1. KVL → KCL      2. 테브난 정리 → 노튼 정리      3. 전압원 → 전류원      4. 폐로전류 → 절점전류      정답 : [ 4 ]      정답률 : 45%

28. 그림과 같은 회로에서 저항 10[Ω]의 지로를 흐르는 전류는?(2013년 06월)           1. 1[A]      2. 2[A]      3. 4[A]      4. 5[A]      정답 : [ 1 ]      정답률 : 50%

29. 정현 대칭에서 성립하는 함수식은?(2015년 05월)      1. f(t) = 1/f(t)      2. f(t) = -f(t)      3. f(t) = f(-t)      4. f(t) = -f(-t)      정답 : [ 4 ]      정답률 : 57%

30. 4단자 정수의 표현이 옳지 않은 것은?(2011년 10월)      1.      2.      3.      4.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 알수없음

31. 의 라플라스 역 변환은?(2012년 05월)      1. -1+et      2. -1-e-t      3. 1-et      4. 1-e-t      정답 : [ 1 ]      정답률 : 42%

32. RLC 직렬회로에 t=0인 순간, 직류전압을 인가한다면 2계 선형 미분 방정식은?(2012년 03월)      1.      2.      3.      4.      정답 : [ 2 ]      정답률 : 43%

33. 리액턴스 함수가 로 표시되는 리액턴스 2단자망은?(2019년 03월)      1.      2.      3.      4.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 36%       <문제 해설> 1. 분리되지 않고 공통 분자를 가진 리액턴스 단자망은 분자를 1로 만들어 주고, 병렬 결선된 것이라고 생각합니다. Z(s)=(3s/3s)/{(s^2/3s)+(9/3s)}=1/(s/3+3/s) 2. 분모항의 각각의 값을 또 분자를 1의 형태로 바꾸어 줍니다. s는 그대로 둡니다. 1/{(1/3)s+1/(1/3)s} 3. 병렬연결에서는 as는 C이며 1/bs는 L의 표현입니다. 즉 1/3의 값을 가진 C와 L이 병렬결선된 3번이 정답입니다. [해설작성자 : vjkyao]

34. 교류 전압 220V를 인덕턴스 0.1H의 코일에 인가하였을 때 이 코일에 흐르는 전류는? (단, 주파수는 60Hz이다.)(2015년 09월)      1. 5.84/-90°      2. 5.84/0°      3. 22/-90°      4. 22/0°      정답 : [ 1 ]      정답률 : 67%

35. R-L 병렬회로에서 일정하게 인가된 정현파 전류의 위상 θ에 대하여 저항에 흐르는 전류 위상 θ1과 인덕터에 흐르는 전류 위상 θ2를 나타낸 것으로 옳은 것은?(2010년 03월)      1. θ < θ1 < θ2      2. θ2 < θ1 < θ      3. θ2 < θ < θ1      4. θ1 < θ < θ2      정답 : [ 3 ]      정답률 : 55%

36. 기본파의 10[%]인 제3고조파와 20[%]인 제5고조파를 포함하는 전압파의 왜형률은 약 얼마인가?(2015년 03월)      1. 0.5      2. 0.42      3. 0.31      4. 0.22      정답 : [ 4 ]      정답률 : 53%

37. 다음 그림에서 스위치 S를 닫은 후의 전류 i(t)는? (단, t=0에서 I=0이다.)(2014년 03월)           1.      2.      3.      4.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 26%

38. 이상적인 변압기의 권수비(ratio of turns) n을 표현한 것으로 옳지 않은 것은?(2003년 03월)      1.      2.      3.      4.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 19%

39. 다음 저역필터회로의 차단 주파수에서 전달함수의 값은?(2003년 05월)           1. 1/2      2. 1/√2      3. 1      4. 1.5      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

40. RLC 직렬 공진회로에서 선택도 Q를 표시하는 식은? (단, ωr은 공진 각 주파수이다.)(2013년 09월)      1. ωrC/R      2. ωrL/R      3. ωr/R      4. ωrR/L      정답 : [ 2 ]      정답률 : 67%

3과목 : 전자회로

41. B급 푸시풀(Push-pull) 증폭기의 설명으로 옳은 것은?(2005년 09월)      1. 최대 효율은 π/4이다.      2. 컬렉터 효율이 A급보다 낮다.      3. Cross-over 일그러짐이 제거된다.      4. 공급 전원을 흐르는 전류의 변동 폭이 매우 작다.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

42. 다음 NAND 게이트로 구성된 논리회로는?(2006년 03월)           1. NOR      2. HALF - ADDER      3. EXCLUSIVE - OR      4. EXCESS - 3 ADDER      정답 : [ 3 ]      정답률 : 알수없음

43. 입력 저항이 가장 크게 될 수 있는 회로는?(2013년 09월)      1. 부트스트랩 회로      2. cascade 증폭기 회로      3. 트랜지스터 chopper 회로      4. 베이스 접지형 증폭기 회로      정답 : [ 1 ]      정답률 : 53%

44. 다음의 클램퍼 회로에서 그림과 같은 입력신호가 주어질 때 출력 파형의 모양은?(2016년 10월)           1.      2.      3.      4.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 52%       <문제 해설> 클램퍼는 DC 오프셋 전압을 입력파형에 더해서 출력합니다. 병렬된 다이오드의 방향으로 전체 파형을 끌어올린다고 생각하시면 됩니다. 다이오드의 후단에 별도의 전압값 만큼 더하는데 현재는 그냥 AC입력에 결선되어 있으므로 ±4V의 입력을 |Vh-VL|=8V로 모두 끌어올린 3번이 정답이 됩니다. [해설작성자 : vjkyao]

45. 귀환에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?(2016년 10월)      1. 귀환된 신호와 본래의 입력과의 위상관계에 있어서 역위상인 경우를 부귀환이라 한다.      2. 귀환전압이 출력전류에 비례할 때를 전류귀환이라 한다.      3. 귀환전압이 출력전류에 비례하는 경우를 직렬귀환이라 한다.      4. 직렬귀환과 병렬귀환이 함께 사용된 것을 복합귀환이라 한다.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 66%

46. 다음 회로에서 부하 RL에 흐르는 전류는?(2008년 05월)           1. 1 [mA]      2. 1.5 [mA]      3. 2 [mA]      4. 4 [mA]      정답 : [ 3 ]      정답률 : 알수없음

47. 다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?(2009년 03월)           1. 저역통과 여파기      2. 고역통과 여파기      3. DC-AC 변환기      4. 시미트 트리거      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

48. 다음 회로에서 콘덴서(C)의 역할은?(2017년 09월)           1. 중화용      2. 기생 진동 방지용      3. 상호 변조 방지용      4. 저주파 특성 개선용      정답 : [ 4 ]      정답률 : 64%

49. 수정발진기의 특징으로 가장 적합한 것은?(2018년 03월)      1. 가변성      2. 안전성      3. 경제성      4. 높은 발진 주파수      정답 : [ 2 ]      정답률 : 56%

50. 다음 회로의 전압이득()은? (단, hie = 1.1[㏀],hfe = 60,hre = 2.5×10-4RL = 1[㏀],R1 = 5.5[㏀],R2 = 1.2[㏀],Re = 1[㏀])(2004년 05월)           1. 약 -45.5      2. 약 -54.5      3. 약 -62.7      4. 약 -40.5      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

51. 베이스 접지 증폭기 회로에서 전류 증폭율(αo)과 차단 주파수(fo)가 각각 0.97, 1MHz인 트랜지스터가 2MHz로 동작할 때 전류 증폭율(α)은?(2018년 09월)      1. 0.642      2. 0.434      3. 0.542      4. 0.145      정답 : [ 2 ]      정답률 : 33%

52. 그림과 같은 논리회로를 간소화 하면?(2006년 09월)           1. X = A + B + C      2. X = B + C      3.      4. X = ABC      정답 : [ 3 ]      정답률 : 알수없음

53. 베이스변조와 비교하여 컬렉터변조회로의 특징으로 적합하지 않은 것은?(2008년 05월)      1. 조정이 어렵다.      2. 변조효율이 좋다.      3. 대전력 송신기에 적합하다.      4. 높은 변조도에서 일그러짐이 적다.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

54. 피변조파 전압 V(t)가 100(1+0.8cos2000t)sin106t[V]로 표시될 때 하측파의 최대 진폭은?(2010년 05월)      1. 40[V]      2. 56.6[V]      3. 80[V]      4. 113.1[V]      정답 : [ 1 ]      정답률 : 0%

55. 짧은 ON시간과 긴 OFF시간을 가지며 펄스(디지털)신호를 사용하는 증폭기회로에서 주로 쓰이는 증폭기는?(2007년 03월)      1. A급      2. B급      3. C급      4. D급      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

56. 다음 회로는 2차 고역통과필터이다. 이 필터의 전압이득 Av와 차단주파수 fτ는? (단, R1=R2=2.1[kΩ], C1=C2=0.05[μF], RG=10[kΩ], RF=50[kΩ]이다.)(2013년 06월)           1. Av = 6, fτ = 약 1.5[kHz]      2. Av = 5, fτ = 약 2.5[kHz]      3. Av = 4, fτ = 약 3.5[kHz]      4. Av = 3, fτ = 약 4.5[kHz]      정답 : [ 1 ]      정답률 : 37%

57. 다음 회로에서 입력전압(Vi)과 출력전압(VO)의 관계곡선으로 옳은 것은?(2019년 03월)           1.      2.      3.      4.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 30%

58. 다음과 같은 클램프(Clamp)회로의 출력 파형으로 가장 적합한 것은? (단, 다이오드는 이상적이고, RC의 시정수는 대단히 크다.)(2018년 09월)           1.      2.      3.      4.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 38%

59. 다음 그림은 연산 증폭기이다. V1=2[V], V2=3[V]이면, 출력 Vo는?(2010년 09월)           1. -5[V]      2. -6[V]      3. -7[V]      4. -8[V]      정답 : [ 3 ]      정답률 : 31%

60. 다음 중 고주파 증폭회로에서 중화회로를 사용하는 이유로 가장 적합한 것은?(2009년 05월)      1. 모터공진 방지      2. 자기발진 방지      3. 증폭도 저하 방지      4. 음 되먹임 방지      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

4과목 : 물리전자공학

61. 3극 진공관과 특성이 유사한 반도체 소자는?(2015년 09월)      1. 다이오드      2. pnp 트랜지스터      3. n형 JFET      4. SCR      정답 : [ 3 ]      정답률 : 63%

62. 다음 배리스터(Varistor)에 대한 설명 중 틀린것은?(2017년 03월)      1. 비직선적인 전압, 전류특성을 갖는 2단자 반도체장치이다.      2. 서지(surge) 전압에 대한 회로보호용 소자로 사용된다.      3. 다이오드의 정류성을 이용한 것이다.      4. SiC의 분말과 점토를 혼합하여 소결한 것이다.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 49%       <문제 해설> 바리스터는 dV/dt에 반비례하여 저항이 급변하는 소자의 특성을 이용하였습니다. 소재가 반도체이긴 한데 정류나 증폭등의 반도체특성을 이용하지는 않았습니다. [해설작성자 : vjkyao]

63. Fermi-Dirac 분포 함수는?(2003년 08월)      1. f(E) = 1/1-e(E-EF)/kT      2. f(E) = 1/1+e(E-EF)/kT      3. f(E) = 1-e(E-EF)/kT      4. f(E) = 1+e(E-EF)/kT      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

64. 전계에 의한 전자 또는 정공의 흐름에 의한 전류는?(2006년 03월)      1. 확산 전류      2. 드리프트 전류      3. 차단 전류      4. 포화 전류      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

65. 일반적으로 순수(intrinsic) 반도체에서 온도의 상승으로 나타나는 현상에 대한 설명으로 옳은 것은?(2008년 09월)      1. 반도체의 저항이 증가한다.      2. 정공이 전도대로 이전한다.      3. 원자의 에너지가 증가한다.      4. 원자의 에노지가 감소한다.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 알수없음

66. Fermi 에너지에 대한 설명으로 틀린 것은?(2019년 03월)      1. 온도에 따라 그 크기가 변한다.      2. 캐리어 농도에 따라 그 크기가 변한다.      3. 상온에서 전자가 점유할 수 있는 최저에너지이다.      4. 0K에서 전자가 점유할 수 있는 최고 에너지이다.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 36%

67. 진성 반도체에서 Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유의 설명으로 가장 적합한 것은?(2018년 04월)      1. Si의 에너지 갭이 Ge의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.      2. Ge의 에너지 갭이 Si의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.      3. Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문이다.      4. Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문이다.      정답 : [ 2 ]      정답률 : 52%

68. 물질을 구성하고 있는 소립자에도 파동성이 있다고 최초로 주장한 사람은?(2007년 03월)      1. Einstein      2. De Broglie      3. Rutherford      4. Avogadro      정답 : [ 2 ]      정답률 : 20%

69. 다음 중 N형 반도체에서 농도의 관계식으로 옳은 것은? (단, n : 전자의 농도, p : 정공의 농도)(2022년 04월)      1. n = p      2. np = 0      3. n ＜ p      4. n ＞ p      정답 : [ 4 ]      정답률 : 22%

70. FET가 초퍼(Chopper)로서 적합한 이유는?(2006년 03월)      1. 전력 소모가 적다.      2. 대량 생산에 적합하다.      3. 입력 임피던스가 매우 높다.      4. 오프 셋(off set) 전압이 매우 작다.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

71. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)의 순방향 전류전달비 αF가 0.98일 때 전류이득 βF는?(2013년 03월)      1. 40      2. 43      3. 46      4. 49      정답 : [ 4 ]      정답률 : 41%

72. 트랜지스터의 제조에서 에피텍셜 층(epitaxial layer)이 많이 사용되는 이유는?(2007년 05월)      1. 베이스 전극을 만들기 위해서      2. 베이스 영역을 좁게 만들기 위해서      3. 낮은 저항의 이미터 영역을 만들기 위해서      4. 낮은 저항의 기판에 같은 도전성 형태를 가진 높은 저항의 컬렉터 영역을 만들기 위해서      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

73. 1[eV]를 가장 잘 설명한 것은?(2010년 09월)      1. 1개의 전자가 1[J]의 에너지를 얻는데 필요한 에너지이다.      2. 1개의 전자가 1[m]의 간격을 통과할 때 필요한 전압이다.      3. 1개의 전자가 1[V]의 전위차를 통과할 때 필요한 운동 에너지이다.      4. 1개의 전자가 1[m/sec]의 속도를 얻는데 필요한 에너지이다.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 55%

74. 빛의 파장이 1[Å]일 때 광자의 에너지는?(2016년 05월)      1. 6.625×10-34[J]      2. 6.625×10-24[J]      3. 1.988×10-17[J]      4. 1.988×10-15[J]      정답 : [ 4 ]      정답률 : 16%       <문제 해설> 1옴스트롱의 단위는 10^-10 이며 진동수 f[Hz]의 광자 1개의 에너지는 E=hf=hC/λ=6.63*10^-34*3*10^8/10^-10=1.988*10^-15 [해설작성자 : vjkyao]

75. 진성 반도체에 있어서 전도대의 전자밀도(n)는 에너지 갭(Eg)의 크기에 따라 변한다. 다음 전자밀도와 에너지 갭의 관계를 바르게 설명한 것은?(2018년 09월)      1. n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 증가한다.      2. n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 감소한다.      3. n은 Eg에 반비례한다.      4. n은 Eg에 비례한다.      정답 : [ 2 ]      정답률 : 35%

76. 다음 중 N형 반도체를 표시하는 식으로 옳은 것은? (단, n : 전자의 농도, p : 정공의 농도)(2007년 05월)      1. n = p      2. n＞p      3. n＜p      4. np = 0      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

77. 가장 많은 방전 전류가 흐르는 방전영역은?(2007년 09월)      1. 타운젠트 방전역      2. 정상 글로우 방전역      3. 이상 글로우 방전역      4. 아크 방전역      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

78. 진성 반도체에 있어서 Fermi 준위의 위치는? (단, Ec는 전도대(conduction band) 중에서 가장 낮은 에너지 준위이고, Ev는 가전대(valence band) 중에서 가장 높은 에너지 준위이다.)(2009년 05월)      1. Ec보다 약간 높다.      2. Ec보다 약간 낮다.      3. Ev보다 약간 높다.      4. Ec와 Ev의 중간 정도이다.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

79. 균일자계 B에 자계와 직각 방향으로 속도 V를 갖고 입사한 전자의 각 속도는? (단, 전자의 질량을 m, 전하량은 q)(2005년 09월)      1.      2.      3.      4.      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

80. 쉬뢰딩거(Schrodinger) 방정식에 관한 설명으로 잘못된 것은?(2006년 03월)      1. 전자의 위치 에너지가 0이라도 적용할 수 있다.      2. 전자의 위치를 정확히 구할 수 있다.      3. 깊은 전위장벽의 상자에 싸여 있는 전자의 에너지는 양자화된다.      4. 깊은 전위장벽의 상자에 싸여 있는 전자에 대한 전자파는 정재파이다.      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

81. 명령어 중 데이터 처리 명령어에 해당하지 않은 것은?(2010년 03월)      1. 전송 명령어      2. 로테이트 명령어      3. 논리 명령어      4. 산술 명령어      정답 : [ 1 ]      정답률 : 10%

82. 마이크로프로세서에 관한 설명으로 틀린 것은?(2015년 05월)      1. 중앙처리장치의 모든 구성요소들을 집적회로를 사용하여 제작한 것이다.      2. 마이크로프로세서는 CISC와 RISC 구조로 구분된다.      3. 대형이고 고가격이다.      4. 최초로 마이크로프로세서를 만든 회사는 Intel이다.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 69%

83. 다음 중 명령 fetch에 대한 동작 순서가 옳은 것은?(2006년 09월)      1.      2.      3.      4.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

84. 논리회로를 설계하는 과정에서 최적화를 위한 고려 대상이 아닌 것은?(2011년 03월)      1. 게이트 종류의 다양화      2. 전파 지연 시간의 최소화      3. 사용 게이트 수의 최소화      4. 게이트 간의 상호 변수의 최소화      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

85. CPU에서 트랜지스터 회로가 구현할 수 있는 기본 기능이 아닌 것은?(2017년 03월)      1. 덧셈(adding)      2. 디코딩(decoding)      3. 시프팅(shifting)      4. 카운팅(counting)      정답 : [ 4 ]      정답률 : 50%

86. 제어 신호를 발생하는 제어 데이터가 아닌 것은?(2003년 08월)      1. 중앙처리장치의 제어점을 제어하는 데이터      2. 메이저 상태간의 변천을 제어하는 데이터      3. 인스트럭션의 순서를 제어하는 데이터      4. 주변장치를 제어하는 데이터      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

87. 어드레스가 10비트, 데이터가 8비트인 메모리가 있다. 어드레스의 최상위 두 비트를 1로 고정하였을 때 메모리의 어드레스 공간은?(2015년 05월)      1. 000H ~ 0FFH      2. 100H ~ 1FFH      3. 200H ~ 2FFG      4. 300H ~ 3FFH      정답 : [ 4 ]      정답률 : 36%

88. 다음 주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?(2006년 05월)      1. 3-주소명령형식      2. 2-주소명령형식      3. 1-주소명령형식      4. 0-주소명령형식      정답 : [ 3 ]      정답률 : 알수없음

89. CPU가 명령어를 실행할 때의 메이저 상태에 대한 설명으로 옳은 것은?(2011년 03월)      1. 실행 사이클은 간접주소 방식의 경우에만 수행된다.      2. 명령어의 종류를 판별하는 것을 간접 사이클이라 한다.      3. 기억장치내의 명령어를 CPU로 가져오는 것을 인출 사이클이라 한다.      4. 인터럽트 사이클동안 데이터를 기억장치에서 읽어낸다.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 36%

90. 다음 중 값이 다른 것은?(2020년 09월)      1. 2진수 101111      2. 8진수 57      3. 10진수 48      4. 16진수 2F      정답 : [ 3 ]      정답률 : 37%       <문제 해설> 1.(32+8+4+2+1) 47 2.(40+7) 47 3. 48 4.(32+15) 47 [해설작성자 : SNUSEN]

91. 컴퓨터구조와 관련한 다음 설명 중 가장 옳지 않은 것은?(2017년 05월)      1. CAE(computer aided engineering)는 집적회로를 이용하여 프로그램을 개발하는 것이다.      2. 폰노이만 구조의 컴퓨터는 프로그램제어 유니트, 산술논리연산장치, 주기억장치, 입출력 장치로 구성된다.      3. CPU는 내부 명령어 구성에 따라 CISC 구조와 RISC 구조로 구분한다.      4. 컴퓨터에 사용하는 소자는 트랜지스터 → 소규모 집적회로 → 대규모 집적회로 → 초대규모 집적회로로 발달하였다.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 52%

92. 기억장치의 성능을 좌우하는 것이 아닌 것은?(2014년 05월)      1. 접근시간      2. 내부버스      3. 기억용량      4. 비트가격      정답 : [ 2 ]      정답률 : 25%

93. 아래 C프로그램의 출력 결과는?(2020년 06월)           1. 0      2. 2      3. 25      4. 50      정답 : [ 4 ]      정답률 : 22%

94. 콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?(2010년 05월)      1. dynamic micro-programming      2. static micro-programming      3. horizontal micro-programming      4. vertical micro-programming      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

95. 고급 언어로 작성된 프로그램을 컴퓨터가 이해할 수 있는 기계어로 번역해 주는 프로그램을 무엇이라고 하는가?(2006년 03월)      1. 컴파일러(Compiler)      2. 어셈블러(Assembler)      3. 유틸리티(Utility)      4. 연계 편집 프로그램      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

96. 다음은 실행 사이클 중에서 어떤 명령을 나타낸것인가?(2013년 09월)           1. STA 명령      2. AND 명령      3. LDA 명령      4. JMP 명령      정답 : [ 3 ]      정답률 : 22%

97. 프로그램이 수행될 때 최근에 사용한 인스트럭션과 데이터를 다시 사용할 가능성이 크다는 것을 무엇이라 하는가?(2013년 06월)      1. 접근의 국부성      2. 디스크 인터리빙      3. 페이징      4. 블록킹      정답 : [ 1 ]      정답률 : 53%

98. (76.4)8을 10진수 값으로 변환한 것은?(2015년 05월)      1. 62.5      2. 54.6      3. 23.5      4. 118.25      정답 : [ 1 ]      정답률 : 56%

99. 다음 karnaugh맵을 간략화 하면?(2022년 04월)           1. A      2.      3. A + B      4.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 30%

100. 주소지정방식(addressing mode)에서 오퍼랜드(operand) 부분에 데이터가 포함되어 실행되는 방식은?(2008년 09월)      1. index addressing mode      2. direct addressing mode      3. indirect addressing mode      4. immediate addressing mode      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

정 답 지

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1과목 : 전기자기학

1. 상자성체에서 자화율(magnetic susceptibility)는?(2016년 10월)      1. X=0      2. X=1      3. X      4. X＞0      정답 : [ 4 ]      정답률 : 64%

2. 간격에 비해서 충분히 넓은 평행판 콘덴서의 판사이에 비유전율 Єs인 유전체를 채우고 외부에서 판에 수직방향으로 전계 E0를 가할 때 분극전하에 의한 전계의 세기는 몇 [V/m]인가?(2014년 03월)      1.      2.      3.      4.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 53%

3. 반지름 1[cm]인 원형코일에 전류 10[A]가 흐를 때, 코일의 중심에서 코일면에 수직으로 cm 떨어진 점의 자계의 세기는 몇 [A/m] 인가?(2008년 05월)      1. 1/16×103 [A/m]      2. 3/16×103 [A/m]      3. 5/16×103 [A/m]      4. 7/16×103 [A/m]      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

4. 다음 설명 중 잘못된 것은?(2006년 05월)      1. 초전도체는 임계온도 이하에서 완전 반자성을 나타낸다.      2. 자화의 세기는 단위 면적당의 자기 모멘트이다.      3. 상자성체에 자극 N극을 접근시키면 S극이 유도된다.      4. 니켈(Ni), 코발트(Co) 등은 강자성체에 속한다.      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

5. 0.2 Wb/m2의 평등자재 속에 자계와 직각방향으로 놓인 길이 30cm인 도선을 자계와 30도의 방향으로 30m/s의 속도로 이동시킬 때, 도체 양단에 유기되는 기전력은 몇 V 인가?(2019년 09월)      1. 0.3      2. 0.6      3. 0.9      4. 1.2      정답 : [ 3 ]      정답률 : 60%

6. 정전계내에 있는 도체 표면에서의 전계의 방향은 어떻게 되는가?(2004년 03월)      1. 임의 방향      2. 표면과 접선방향      3. 표면과 45도 방향      4. 표면과 수직방향      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

7. 구리로 만든 지름 20cm의 반구에 물을 채우고 그 중에 지름 10cm의 구를 띄운다. 이 때에 두 개의 구가 동심구라면 두 구 사이의 저항은 약 몇 Ω인가? (단, 물의 도전율은 10-3[℧/m]라 하고, 물이 충만 되어 있다고 한다.)(2017년 03월)      1. 1590      2. 2590      3. 2800      4. 3180      정답 : [ 1 ]      정답률 : 57%

8. 그림과 같이 무한히 넓은 무한평면도체로부터 d[m] 떨어진 점에 Q[C]의 점전하가 있을 때 [m]인 P점의 전위는 몇 [V]인가?(2007년 09월)          1. Q/πε0d      2. Q/3πε0d      3. 8Q/9πε0d      4. 10Q/9πε0d      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

9. 무한장 선로에 균일하게 전하가 분포된 경우 선로로부터 r(m) 떨어진 P점에서의 전계의 세기 E(V/m)는 얼마인가?(단, 선전하 밀도는 ρL(C/m)이다.)(2015년 03월)          1.      2.      3.      4.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 61%

10. 그림과 같이 반지름 a[m]의 한번 감긴 원형코일이 균일한 자속밀도 B[Wb/m2]인 자계에 놓여 있다. 지금 코일 면을 자계와 나란하게 전류 I[A]를 흘리면 원형코일이 자계로부터 받는 회전 모멘트는 몇 [Nㆍm/rad]인가?(2011년 06월)           1. 2πaBI      2. πaBI      3. 2πa2BI      4. πa2BI      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

11. 자속밀도 B(Wb/m2)의 평등 자계 내에서 길이 l(m)인 도체 ab가 속도 v(m/s)로 그림과 같이 도선을 따라서 자계와 수직으로 이동할 때, 도체 ab에 의해 유기된 기전력의 크기 e(V)와 폐회로 abcd 내 저항 R에 흐르는 전류의 방향은? (단, 폐회로 abcd 내 도선 및 도체의 저항은 무시한다.)(2020년 06월)           1. e=Blv, 전류방향 : c→d      2. e=Blv, 전류방향 : d→c      3. e=Blv2, 전류방향 : c→d      4. e=Blv2, 전류방향 : d→c      정답 : [ 1 ]      정답률 : 46%

12. 다음 중 전속밀도에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?(2009년 08월)      1. 전속은 스칼라양이기 때문에 전속밀도도 스칼라양이다.      2. 전속밀도는 전계의 세기 방향과 반대 방향이다.      3. 전속밀도는 유전체 내에 분극의 세기와 같다.      4. 전속밀도는 유전체가 있던, 없던 관계없이 크기는 일정하다.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

13. 환상철심에 권수 3000회 A코일과 권수 200회 B코일이 감겨져 있다. A코일의 자기인덕턴스가 360mH일 때 A, B 두 코일의 상호 인덕턴스는 몇 mH 인가? (단, 결합계수는 1이다.)(2019년 03월)      1. 16      2. 24      3. 36      4. 72      정답 : [ 2 ]      정답률 : 37%       <문제 해설> M=La*Nb/Na=360*200/3000=24[mH] [해설작성자 : vjkyao]

14. 그림과 같이 직각 코일이 인 자계에 위치하고 있다. 코일에 5A 전류가 흐를 때 z축에서의 토크는 약 몇 N･m 인가?(2017년 05월)           1. 2.66 × 10-4ax      2. 5.66 × 10-4ax      3. 2.66 × 10-4az      4. 5.66 × 10-4az      정답 : [ 4 ]      정답률 : 59%

15. 두 유전체의 경계면에 대한 설명 중 옳은 것은?(2014년 05월)      1. 두 유전체의 경계면에 전계가 수직으로 입사하면 두 유전체내의 전계의 세기는 같다.      2. 유전율이 작은 쪽에서 큰 쪽으로 전계가 입사할 때 입사각은 굴절각보다. 크다.      3. 경계면에서 정전력은 전계가 경계면에 수직으로 입사할 때 유전율이 큰 쪽에서 작은 쪽으로 작용한다.      4. 유전율이 큰 쪽에서 작은 쪽으로 전계가 경계면에 수직으로 입사할 때 유전율이 작은 쪽의 전계의 세기가 작아진다.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 50%

16. 서로 다른 두 유전체 사이의 경계면에 전하분포가 없다면 경계면 양쪽에서의 전계 및 자속밀도는?(2011년 10월)      1. 전계의 접선성분 및 전속밀도의 법선성분은 서로 같다.      2. 전계의 법선성분 및 전속밀도의 접선성분은 서로 같다.      3. 전계 및 전속밀도의 법선성분은 서로 같다.      4. 전계 및 전속밀도의 접선성분은 서로 같다.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

17. 한 변의 길이가 √2m인 정사각형의 4개 꼭짓점에 +10-9 C의 점전하가 각각 있을 때 이 사각형의 중심에서의 전위[V]는?(2017년 03월)      1. 0      2. 18      3. 36      4. 72      정답 : [ 3 ]      정답률 : 57%

18. 전속밀도에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?(2015년 03월)      1. 전속은 스칼라량이기 때문에 전속밀도도 스칼라량이다.      2. 전속밀도는 전계의 세기의 방향과 반대 방향이다.      3. 전속밀도는 유전체 내에 분극의 세기와 같다.      4. 전속밀도는 유전체와 관계없이 크기는 일정하다.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 55%

19. 다음 중 압전효과를 이용하지 않는 것은?(2006년 05월)      1. 수정발진기      2. Crystal pick-up      3. 초음파발생기      4. 자속계      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

20. 서로 결합하고 있는 두 코일의 C1과 C2의 자기인덕턴스가 각각 Lc1, Lc2라고 한다. 이 둘을 직렬로 연결하여 합성인덕턴스 값을 얻은 후 두 코일간 상호인덕턴스의 크기(|M|)를 얻고자 한다. 직렬로 연결할 때, 두 코일간 자속이 서로 가해져서 보강되는 방향의 합성인덕턴스의 값이 L1, 서로 상쇄되는 방향의 합성인덕턴스 값이 L2일 때, 다음 중 알맞은 식은?(2017년 05월)      1.      2.      3.      4.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 64%

2과목 : 회로이론

21. 역률 80[%], 부하의 유효전력이 80[kW]이면 무효전력은?(2010년 03월)      1. 20[kVar]      2. 40[kVar]      3. 60[kVar]      4. 80[kVar]      정답 : [ 3 ]      정답률 : 37%

22. 그림과 같은 회로에서 스위치 K가 닫혀진 상태에 있다가 t = 0 일 때 K가 열렸다. 이 때 R2를 흐르는 전류 i는?(2004년 03월)           1.      2.      3.      4.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

23. 역률 80[%], 부하의 유효전력이 80[kW]이면 무효전력은?(2004년 09월)      1. 20 [K Var]      2. 40 [K Var]      3. 60 [K Var]      4. 80 [K Var]      정답 : [ 3 ]      정답률 : 알수없음

24. 500(mH)인 코일에 흐르는 전류를 30[A/s]의 비율로 증가시킬 때, 코일 양단에 나타나는 전압의 크기는? (단, 전압의 크기는 절대값이다.)(2015년 05월)      1. 0.15V      2. 1.5V      3. 15V      4. 150V      정답 : [ 3 ]      정답률 : 58%

25. 다음은 정현파를 대표하는 phasor이다. 정형파를 순시치로 나타내면?(2008년 09월)           1.      2.      3.      4.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 알수없음

26. 한 코일의 전류가 매초 60[A]의 비율로 변화할 때 다른 코일에는 30[V]의 기전력이 발생하는 경우에 두 코일의 상호 인덕턴스[H]는?(2015년 03월)      1. 2      2. 1.5      3. 1      4. 0.5      정답 : [ 4 ]      정답률 : 52%

27. 두 회로 간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?(2019년 03월)      1. KVL → KCL      2. 테브난 정리 → 노튼 정리      3. 전압원 → 전류원      4. 폐로전류 → 절점전류      정답 : [ 4 ]      정답률 : 45%

28. 그림과 같은 회로에서 저항 10[Ω]의 지로를 흐르는 전류는?(2013년 06월)           1. 1[A]      2. 2[A]      3. 4[A]      4. 5[A]      정답 : [ 1 ]      정답률 : 50%

29. 정현 대칭에서 성립하는 함수식은?(2015년 05월)      1. f(t) = 1/f(t)      2. f(t) = -f(t)      3. f(t) = f(-t)      4. f(t) = -f(-t)      정답 : [ 4 ]      정답률 : 57%

30. 4단자 정수의 표현이 옳지 않은 것은?(2011년 10월)      1.      2.      3.      4.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 알수없음

31. 의 라플라스 역 변환은?(2012년 05월)      1. -1+et      2. -1-e-t      3. 1-et      4. 1-e-t      정답 : [ 1 ]      정답률 : 42%

32. RLC 직렬회로에 t=0인 순간, 직류전압을 인가한다면 2계 선형 미분 방정식은?(2012년 03월)      1.      2.      3.      4.      정답 : [ 2 ]      정답률 : 43%

33. 리액턴스 함수가 로 표시되는 리액턴스 2단자망은?(2019년 03월)      1.      2.      3.      4.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 36%       <문제 해설> 1. 분리되지 않고 공통 분자를 가진 리액턴스 단자망은 분자를 1로 만들어 주고, 병렬 결선된 것이라고 생각합니다. Z(s)=(3s/3s)/{(s^2/3s)+(9/3s)}=1/(s/3+3/s) 2. 분모항의 각각의 값을 또 분자를 1의 형태로 바꾸어 줍니다. s는 그대로 둡니다. 1/{(1/3)s+1/(1/3)s} 3. 병렬연결에서는 as는 C이며 1/bs는 L의 표현입니다. 즉 1/3의 값을 가진 C와 L이 병렬결선된 3번이 정답입니다. [해설작성자 : vjkyao]

34. 교류 전압 220V를 인덕턴스 0.1H의 코일에 인가하였을 때 이 코일에 흐르는 전류는? (단, 주파수는 60Hz이다.)(2015년 09월)      1. 5.84/-90°      2. 5.84/0°      3. 22/-90°      4. 22/0°      정답 : [ 1 ]      정답률 : 67%

35. R-L 병렬회로에서 일정하게 인가된 정현파 전류의 위상 θ에 대하여 저항에 흐르는 전류 위상 θ1과 인덕터에 흐르는 전류 위상 θ2를 나타낸 것으로 옳은 것은?(2010년 03월)      1. θ < θ1 < θ2      2. θ2 < θ1 < θ      3. θ2 < θ < θ1      4. θ1 < θ < θ2      정답 : [ 3 ]      정답률 : 55%

36. 기본파의 10[%]인 제3고조파와 20[%]인 제5고조파를 포함하는 전압파의 왜형률은 약 얼마인가?(2015년 03월)      1. 0.5      2. 0.42      3. 0.31      4. 0.22      정답 : [ 4 ]      정답률 : 53%

37. 다음 그림에서 스위치 S를 닫은 후의 전류 i(t)는? (단, t=0에서 I=0이다.)(2014년 03월)           1.      2.      3.      4.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 26%

38. 이상적인 변압기의 권수비(ratio of turns) n을 표현한 것으로 옳지 않은 것은?(2003년 03월)      1.      2.      3.      4.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 19%

39. 다음 저역필터회로의 차단 주파수에서 전달함수의 값은?(2003년 05월)           1. 1/2      2. 1/√2      3. 1      4. 1.5      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

40. RLC 직렬 공진회로에서 선택도 Q를 표시하는 식은? (단, ωr은 공진 각 주파수이다.)(2013년 09월)      1. ωrC/R      2. ωrL/R      3. ωr/R      4. ωrR/L      정답 : [ 2 ]      정답률 : 67%

3과목 : 전자회로

41. B급 푸시풀(Push-pull) 증폭기의 설명으로 옳은 것은?(2005년 09월)      1. 최대 효율은 π/4이다.      2. 컬렉터 효율이 A급보다 낮다.      3. Cross-over 일그러짐이 제거된다.      4. 공급 전원을 흐르는 전류의 변동 폭이 매우 작다.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

42. 다음 NAND 게이트로 구성된 논리회로는?(2006년 03월)           1. NOR      2. HALF - ADDER      3. EXCLUSIVE - OR      4. EXCESS - 3 ADDER      정답 : [ 3 ]      정답률 : 알수없음

43. 입력 저항이 가장 크게 될 수 있는 회로는?(2013년 09월)      1. 부트스트랩 회로      2. cascade 증폭기 회로      3. 트랜지스터 chopper 회로      4. 베이스 접지형 증폭기 회로      정답 : [ 1 ]      정답률 : 53%

44. 다음의 클램퍼 회로에서 그림과 같은 입력신호가 주어질 때 출력 파형의 모양은?(2016년 10월)           1.      2.      3.      4.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 52%       <문제 해설> 클램퍼는 DC 오프셋 전압을 입력파형에 더해서 출력합니다. 병렬된 다이오드의 방향으로 전체 파형을 끌어올린다고 생각하시면 됩니다. 다이오드의 후단에 별도의 전압값 만큼 더하는데 현재는 그냥 AC입력에 결선되어 있으므로 ±4V의 입력을 |Vh-VL|=8V로 모두 끌어올린 3번이 정답이 됩니다. [해설작성자 : vjkyao]

45. 귀환에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?(2016년 10월)      1. 귀환된 신호와 본래의 입력과의 위상관계에 있어서 역위상인 경우를 부귀환이라 한다.      2. 귀환전압이 출력전류에 비례할 때를 전류귀환이라 한다.      3. 귀환전압이 출력전류에 비례하는 경우를 직렬귀환이라 한다.      4. 직렬귀환과 병렬귀환이 함께 사용된 것을 복합귀환이라 한다.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 66%

46. 다음 회로에서 부하 RL에 흐르는 전류는?(2008년 05월)           1. 1 [mA]      2. 1.5 [mA]      3. 2 [mA]      4. 4 [mA]      정답 : [ 3 ]      정답률 : 알수없음

47. 다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?(2009년 03월)           1. 저역통과 여파기      2. 고역통과 여파기      3. DC-AC 변환기      4. 시미트 트리거      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

48. 다음 회로에서 콘덴서(C)의 역할은?(2017년 09월)           1. 중화용      2. 기생 진동 방지용      3. 상호 변조 방지용      4. 저주파 특성 개선용      정답 : [ 4 ]      정답률 : 64%

49. 수정발진기의 특징으로 가장 적합한 것은?(2018년 03월)      1. 가변성      2. 안전성      3. 경제성      4. 높은 발진 주파수      정답 : [ 2 ]      정답률 : 56%

50. 다음 회로의 전압이득()은? (단, hie = 1.1[㏀],hfe = 60,hre = 2.5×10-4RL = 1[㏀],R1 = 5.5[㏀],R2 = 1.2[㏀],Re = 1[㏀])(2004년 05월)           1. 약 -45.5      2. 약 -54.5      3. 약 -62.7      4. 약 -40.5      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

51. 베이스 접지 증폭기 회로에서 전류 증폭율(αo)과 차단 주파수(fo)가 각각 0.97, 1MHz인 트랜지스터가 2MHz로 동작할 때 전류 증폭율(α)은?(2018년 09월)      1. 0.642      2. 0.434      3. 0.542      4. 0.145      정답 : [ 2 ]      정답률 : 33%

52. 그림과 같은 논리회로를 간소화 하면?(2006년 09월)           1. X = A + B + C      2. X = B + C      3.      4. X = ABC      정답 : [ 3 ]      정답률 : 알수없음

53. 베이스변조와 비교하여 컬렉터변조회로의 특징으로 적합하지 않은 것은?(2008년 05월)      1. 조정이 어렵다.      2. 변조효율이 좋다.      3. 대전력 송신기에 적합하다.      4. 높은 변조도에서 일그러짐이 적다.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

54. 피변조파 전압 V(t)가 100(1+0.8cos2000t)sin106t[V]로 표시될 때 하측파의 최대 진폭은?(2010년 05월)      1. 40[V]      2. 56.6[V]      3. 80[V]      4. 113.1[V]      정답 : [ 1 ]      정답률 : 0%

55. 짧은 ON시간과 긴 OFF시간을 가지며 펄스(디지털)신호를 사용하는 증폭기회로에서 주로 쓰이는 증폭기는?(2007년 03월)      1. A급      2. B급      3. C급      4. D급      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

56. 다음 회로는 2차 고역통과필터이다. 이 필터의 전압이득 Av와 차단주파수 fτ는? (단, R1=R2=2.1[kΩ], C1=C2=0.05[μF], RG=10[kΩ], RF=50[kΩ]이다.)(2013년 06월)           1. Av = 6, fτ = 약 1.5[kHz]      2. Av = 5, fτ = 약 2.5[kHz]      3. Av = 4, fτ = 약 3.5[kHz]      4. Av = 3, fτ = 약 4.5[kHz]      정답 : [ 1 ]      정답률 : 37%

57. 다음 회로에서 입력전압(Vi)과 출력전압(VO)의 관계곡선으로 옳은 것은?(2019년 03월)           1.      2.      3.      4.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 30%

58. 다음과 같은 클램프(Clamp)회로의 출력 파형으로 가장 적합한 것은? (단, 다이오드는 이상적이고, RC의 시정수는 대단히 크다.)(2018년 09월)           1.      2.      3.      4.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 38%

59. 다음 그림은 연산 증폭기이다. V1=2[V], V2=3[V]이면, 출력 Vo는?(2010년 09월)           1. -5[V]      2. -6[V]      3. -7[V]      4. -8[V]      정답 : [ 3 ]      정답률 : 31%

60. 다음 중 고주파 증폭회로에서 중화회로를 사용하는 이유로 가장 적합한 것은?(2009년 05월)      1. 모터공진 방지      2. 자기발진 방지      3. 증폭도 저하 방지      4. 음 되먹임 방지      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

4과목 : 물리전자공학

61. 3극 진공관과 특성이 유사한 반도체 소자는?(2015년 09월)      1. 다이오드      2. pnp 트랜지스터      3. n형 JFET      4. SCR      정답 : [ 3 ]      정답률 : 63%

62. 다음 배리스터(Varistor)에 대한 설명 중 틀린것은?(2017년 03월)      1. 비직선적인 전압, 전류특성을 갖는 2단자 반도체장치이다.      2. 서지(surge) 전압에 대한 회로보호용 소자로 사용된다.      3. 다이오드의 정류성을 이용한 것이다.      4. SiC의 분말과 점토를 혼합하여 소결한 것이다.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 49%       <문제 해설> 바리스터는 dV/dt에 반비례하여 저항이 급변하는 소자의 특성을 이용하였습니다. 소재가 반도체이긴 한데 정류나 증폭등의 반도체특성을 이용하지는 않았습니다. [해설작성자 : vjkyao]

63. Fermi-Dirac 분포 함수는?(2003년 08월)      1. f(E) = 1/1-e(E-EF)/kT      2. f(E) = 1/1+e(E-EF)/kT      3. f(E) = 1-e(E-EF)/kT      4. f(E) = 1+e(E-EF)/kT      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

64. 전계에 의한 전자 또는 정공의 흐름에 의한 전류는?(2006년 03월)      1. 확산 전류      2. 드리프트 전류      3. 차단 전류      4. 포화 전류      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

65. 일반적으로 순수(intrinsic) 반도체에서 온도의 상승으로 나타나는 현상에 대한 설명으로 옳은 것은?(2008년 09월)      1. 반도체의 저항이 증가한다.      2. 정공이 전도대로 이전한다.      3. 원자의 에너지가 증가한다.      4. 원자의 에노지가 감소한다.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 알수없음

66. Fermi 에너지에 대한 설명으로 틀린 것은?(2019년 03월)      1. 온도에 따라 그 크기가 변한다.      2. 캐리어 농도에 따라 그 크기가 변한다.      3. 상온에서 전자가 점유할 수 있는 최저에너지이다.      4. 0K에서 전자가 점유할 수 있는 최고 에너지이다.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 36%

67. 진성 반도체에서 Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유의 설명으로 가장 적합한 것은?(2018년 04월)      1. Si의 에너지 갭이 Ge의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.      2. Ge의 에너지 갭이 Si의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.      3. Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문이다.      4. Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문이다.      정답 : [ 2 ]      정답률 : 52%

68. 물질을 구성하고 있는 소립자에도 파동성이 있다고 최초로 주장한 사람은?(2007년 03월)      1. Einstein      2. De Broglie      3. Rutherford      4. Avogadro      정답 : [ 2 ]      정답률 : 20%

69. 다음 중 N형 반도체에서 농도의 관계식으로 옳은 것은? (단, n : 전자의 농도, p : 정공의 농도)(2022년 04월)      1. n = p      2. np = 0      3. n ＜ p      4. n ＞ p      정답 : [ 4 ]      정답률 : 22%

70. FET가 초퍼(Chopper)로서 적합한 이유는?(2006년 03월)      1. 전력 소모가 적다.      2. 대량 생산에 적합하다.      3. 입력 임피던스가 매우 높다.      4. 오프 셋(off set) 전압이 매우 작다.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

71. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)의 순방향 전류전달비 αF가 0.98일 때 전류이득 βF는?(2013년 03월)      1. 40      2. 43      3. 46      4. 49      정답 : [ 4 ]      정답률 : 41%

72. 트랜지스터의 제조에서 에피텍셜 층(epitaxial layer)이 많이 사용되는 이유는?(2007년 05월)      1. 베이스 전극을 만들기 위해서      2. 베이스 영역을 좁게 만들기 위해서      3. 낮은 저항의 이미터 영역을 만들기 위해서      4. 낮은 저항의 기판에 같은 도전성 형태를 가진 높은 저항의 컬렉터 영역을 만들기 위해서      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

73. 1[eV]를 가장 잘 설명한 것은?(2010년 09월)      1. 1개의 전자가 1[J]의 에너지를 얻는데 필요한 에너지이다.      2. 1개의 전자가 1[m]의 간격을 통과할 때 필요한 전압이다.      3. 1개의 전자가 1[V]의 전위차를 통과할 때 필요한 운동 에너지이다.      4. 1개의 전자가 1[m/sec]의 속도를 얻는데 필요한 에너지이다.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 55%

74. 빛의 파장이 1[Å]일 때 광자의 에너지는?(2016년 05월)      1. 6.625×10-34[J]      2. 6.625×10-24[J]      3. 1.988×10-17[J]      4. 1.988×10-15[J]      정답 : [ 4 ]      정답률 : 16%       <문제 해설> 1옴스트롱의 단위는 10^-10 이며 진동수 f[Hz]의 광자 1개의 에너지는 E=hf=hC/λ=6.63*10^-34*3*10^8/10^-10=1.988*10^-15 [해설작성자 : vjkyao]

75. 진성 반도체에 있어서 전도대의 전자밀도(n)는 에너지 갭(Eg)의 크기에 따라 변한다. 다음 전자밀도와 에너지 갭의 관계를 바르게 설명한 것은?(2018년 09월)      1. n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 증가한다.      2. n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 감소한다.      3. n은 Eg에 반비례한다.      4. n은 Eg에 비례한다.      정답 : [ 2 ]      정답률 : 35%

76. 다음 중 N형 반도체를 표시하는 식으로 옳은 것은? (단, n : 전자의 농도, p : 정공의 농도)(2007년 05월)      1. n = p      2. n＞p      3. n＜p      4. np = 0      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

77. 가장 많은 방전 전류가 흐르는 방전영역은?(2007년 09월)      1. 타운젠트 방전역      2. 정상 글로우 방전역      3. 이상 글로우 방전역      4. 아크 방전역      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

78. 진성 반도체에 있어서 Fermi 준위의 위치는? (단, Ec는 전도대(conduction band) 중에서 가장 낮은 에너지 준위이고, Ev는 가전대(valence band) 중에서 가장 높은 에너지 준위이다.)(2009년 05월)      1. Ec보다 약간 높다.      2. Ec보다 약간 낮다.      3. Ev보다 약간 높다.      4. Ec와 Ev의 중간 정도이다.      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

79. 균일자계 B에 자계와 직각 방향으로 속도 V를 갖고 입사한 전자의 각 속도는? (단, 전자의 질량을 m, 전하량은 q)(2005년 09월)      1.      2.      3.      4.      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

80. 쉬뢰딩거(Schrodinger) 방정식에 관한 설명으로 잘못된 것은?(2006년 03월)      1. 전자의 위치 에너지가 0이라도 적용할 수 있다.      2. 전자의 위치를 정확히 구할 수 있다.      3. 깊은 전위장벽의 상자에 싸여 있는 전자의 에너지는 양자화된다.      4. 깊은 전위장벽의 상자에 싸여 있는 전자에 대한 전자파는 정재파이다.      정답 : [ 2 ]      정답률 : 알수없음

81. 명령어 중 데이터 처리 명령어에 해당하지 않은 것은?(2010년 03월)      1. 전송 명령어      2. 로테이트 명령어      3. 논리 명령어      4. 산술 명령어      정답 : [ 1 ]      정답률 : 10%

82. 마이크로프로세서에 관한 설명으로 틀린 것은?(2015년 05월)      1. 중앙처리장치의 모든 구성요소들을 집적회로를 사용하여 제작한 것이다.      2. 마이크로프로세서는 CISC와 RISC 구조로 구분된다.      3. 대형이고 고가격이다.      4. 최초로 마이크로프로세서를 만든 회사는 Intel이다.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 69%

83. 다음 중 명령 fetch에 대한 동작 순서가 옳은 것은?(2006년 09월)      1.      2.      3.      4.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

84. 논리회로를 설계하는 과정에서 최적화를 위한 고려 대상이 아닌 것은?(2011년 03월)      1. 게이트 종류의 다양화      2. 전파 지연 시간의 최소화      3. 사용 게이트 수의 최소화      4. 게이트 간의 상호 변수의 최소화      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

85. CPU에서 트랜지스터 회로가 구현할 수 있는 기본 기능이 아닌 것은?(2017년 03월)      1. 덧셈(adding)      2. 디코딩(decoding)      3. 시프팅(shifting)      4. 카운팅(counting)      정답 : [ 4 ]      정답률 : 50%

86. 제어 신호를 발생하는 제어 데이터가 아닌 것은?(2003년 08월)      1. 중앙처리장치의 제어점을 제어하는 데이터      2. 메이저 상태간의 변천을 제어하는 데이터      3. 인스트럭션의 순서를 제어하는 데이터      4. 주변장치를 제어하는 데이터      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

87. 어드레스가 10비트, 데이터가 8비트인 메모리가 있다. 어드레스의 최상위 두 비트를 1로 고정하였을 때 메모리의 어드레스 공간은?(2015년 05월)      1. 000H ~ 0FFH      2. 100H ~ 1FFH      3. 200H ~ 2FFG      4. 300H ~ 3FFH      정답 : [ 4 ]      정답률 : 36%

88. 다음 주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?(2006년 05월)      1. 3-주소명령형식      2. 2-주소명령형식      3. 1-주소명령형식      4. 0-주소명령형식      정답 : [ 3 ]      정답률 : 알수없음

89. CPU가 명령어를 실행할 때의 메이저 상태에 대한 설명으로 옳은 것은?(2011년 03월)      1. 실행 사이클은 간접주소 방식의 경우에만 수행된다.      2. 명령어의 종류를 판별하는 것을 간접 사이클이라 한다.      3. 기억장치내의 명령어를 CPU로 가져오는 것을 인출 사이클이라 한다.      4. 인터럽트 사이클동안 데이터를 기억장치에서 읽어낸다.      정답 : [ 3 ]      정답률 : 36%

90. 다음 중 값이 다른 것은?(2020년 09월)      1. 2진수 101111      2. 8진수 57      3. 10진수 48      4. 16진수 2F      정답 : [ 3 ]      정답률 : 37%       <문제 해설> 1.(32+8+4+2+1) 47 2.(40+7) 47 3. 48 4.(32+15) 47 [해설작성자 : SNUSEN]

91. 컴퓨터구조와 관련한 다음 설명 중 가장 옳지 않은 것은?(2017년 05월)      1. CAE(computer aided engineering)는 집적회로를 이용하여 프로그램을 개발하는 것이다.      2. 폰노이만 구조의 컴퓨터는 프로그램제어 유니트, 산술논리연산장치, 주기억장치, 입출력 장치로 구성된다.      3. CPU는 내부 명령어 구성에 따라 CISC 구조와 RISC 구조로 구분한다.      4. 컴퓨터에 사용하는 소자는 트랜지스터 → 소규모 집적회로 → 대규모 집적회로 → 초대규모 집적회로로 발달하였다.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 52%

92. 기억장치의 성능을 좌우하는 것이 아닌 것은?(2014년 05월)      1. 접근시간      2. 내부버스      3. 기억용량      4. 비트가격      정답 : [ 2 ]      정답률 : 25%

93. 아래 C프로그램의 출력 결과는?(2020년 06월)           1. 0      2. 2      3. 25      4. 50      정답 : [ 4 ]      정답률 : 22%

94. 콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?(2010년 05월)      1. dynamic micro-programming      2. static micro-programming      3. horizontal micro-programming      4. vertical micro-programming      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

95. 고급 언어로 작성된 프로그램을 컴퓨터가 이해할 수 있는 기계어로 번역해 주는 프로그램을 무엇이라고 하는가?(2006년 03월)      1. 컴파일러(Compiler)      2. 어셈블러(Assembler)      3. 유틸리티(Utility)      4. 연계 편집 프로그램      정답 : [ 1 ]      정답률 : 알수없음

96. 다음은 실행 사이클 중에서 어떤 명령을 나타낸것인가?(2013년 09월)           1. STA 명령      2. AND 명령      3. LDA 명령      4. JMP 명령      정답 : [ 3 ]      정답률 : 22%

97. 프로그램이 수행될 때 최근에 사용한 인스트럭션과 데이터를 다시 사용할 가능성이 크다는 것을 무엇이라 하는가?(2013년 06월)      1. 접근의 국부성      2. 디스크 인터리빙      3. 페이징      4. 블록킹      정답 : [ 1 ]      정답률 : 53%

98. (76.4)8을 10진수 값으로 변환한 것은?(2015년 05월)      1. 62.5      2. 54.6      3. 23.5      4. 118.25      정답 : [ 1 ]      정답률 : 56%

99. 다음 karnaugh맵을 간략화 하면?(2022년 04월)           1. A      2.      3. A + B      4.      정답 : [ 1 ]      정답률 : 30%

100. 주소지정방식(addressing mode)에서 오퍼랜드(operand) 부분에 데이터가 포함되어 실행되는 방식은?(2008년 09월)      1. index addressing mode      2. direct addressing mode      3. indirect addressing mode      4. immediate addressing mode      정답 : [ 4 ]      정답률 : 알수없음

정 답 지

1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
④	③	①	②	③	④	①	②	③	④
11	12	13	14	15	16	17	18	19	20
①	④	②	④	③	①	③	④	④	④
21	22	23	24	25	26	27	28	29	30
③	①	③	③	③	④	④	①	④	③
31	32	33	34	35	36	37	38	39	40
①	②	③	①	③	④	④	④	②	②
41	42	43	44	45	46	47	48	49	50
①	③	①	③	④	③	①	④	②	②
51	52	53	54	55	56	57	58	59	60
②	③	①	①	④	①	④	③	③	②
61	62	63	64	65	66	67	68	69	70
③	③	②	②	③	③	②	②	④	④
71	72	73	74	75	76	77	78	79	80
④	④	③	④	②	②	④	④	②	②
81	82	83	84	85	86	87	88	89	90
①	③	①	①	④	④	④	③	③	③
91	92	93	94	95	96	97	98	99	100
①	②	④	①	①	③	①	①	①	④

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